HYG210P06LQ1D دیتاشیت

HYG210P06LQ1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG210P06LQ1D
حجم فایل 70.404 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG210P06LQ1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG210P06LQ1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 60W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 90nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.679nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 60pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه